高功率脉冲磁控溅射源

高功率脉冲磁控溅射电源是一类高功率密度的脉冲等离子体电源,极大的改善薄膜沉积工艺。采用高功率脉冲电源的磁控溅射,极大的提高等离子体密度,从而加快了薄膜沉积速率,可以形成致密,光滑且高附和的高质量薄膜。

HOIZY提供基于高功率脉冲磁控溅射的高能脉冲电源,配合先进的过程控制,为客户提供最先进的薄膜工艺。

单极性脉冲源
HiPSTER 1 参数 指标
平均功率 1000 W
峰值电压 1000 V
峰值电流 100 A
脉冲频率 1 Hz-10 KHz
脉冲宽度 2.5 ~ 1000 µs
调整模式 电压,电流,功率,脉冲电流
镀膜与沉积过程控制

Hoizy 根据用户涂层需求,譬如:增加硬度,减少摩擦,防止材料扩散,覆盖复杂的结构,相位特定延迟材料,增加耐磨性等。为客户提供和定制合适高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)系统。同时,我们提供以下典型的涂层过程控制方案:

  • 高功率脉冲磁控溅射可以极大程度的电离传统磁控溅射无法电离的碳(C)。
  • 提供具有极强的鲁棒性,用于氧 – 氩气体中铟锡靶溅射沉积,可提供纳米级结构的涂层,用于表面复杂形状的精密镀膜,且几乎在常温进行,还具有极高沉积率。
  • 特殊方案的高功率磁控溅射,即使没有采用高衬底的偏置电压也可以形成无针孔、高致密的薄膜,可为太阳能电池和燃料电池提供了高质量的扩散屏障。
  • 用于硬涂层的高功率脉冲磁控溅射,因为其高度电离沉积材料,可以极大的提高薄膜的光滑和致密度。可以适用于:氮化铬、氮化钛、三氧化二铝等涂层。
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