高功率脉冲磁控溅射电源是一类高功率密度的脉冲等离子体电源,极大的改善薄膜沉积工艺。采用高功率脉冲电源的磁控溅射,极大的提高等离子体密度,从而加快了薄膜沉积速率,可以形成致密,光滑且高附和的高质量薄膜。
HOIZY提供基于高功率脉冲磁控溅射的高能脉冲电源,配合先进的过程控制,为客户提供最先进的薄膜工艺。
高功率脉冲磁控溅射电源是一类高功率密度的脉冲等离子体电源,极大的改善薄膜沉积工艺。采用高功率脉冲电源的磁控溅射,极大的提高等离子体密度,从而加快了薄膜沉积速率,可以形成致密,光滑且高附和的高质量薄膜。
HOIZY提供基于高功率脉冲磁控溅射的高能脉冲电源,配合先进的过程控制,为客户提供最先进的薄膜工艺。
HiPSTER 1: | 参数 | 指标 |
平均功率 | 1000 W | |
峰值电压 | 1000 V | |
峰值电流 | 100 A | |
脉冲频率 | 1 Hz-10 KHz | |
脉冲宽度 | 2.5 ~ 1000 µs | |
调整模式 | 电压,电流,功率,脉冲电流 |
HiPSTER 6: | 参数 | 指标 |
平均功率 | 6000 W | |
峰值电压 | 1000 V | |
峰值电流 | 600 A | |
脉冲频率 | 1 Hz – 10 KHz | |
脉冲宽度 | 2.5 ~ 1000 µs | |
调整模式 | 电压,电流,功率,脉冲电流 |
*以上高压脉冲电源为标准型号,可根据用户需求提供半定制,与定制.
HiPSTER 10: | 参数 | 指标 |
平均功率 | 10 KW | |
峰值电压 | 1000 V | |
峰值电流 | 1000 A | |
脉冲频率 | 50 Hz-10 KHz | |
脉冲宽度 | 3.5 ~ 1000 µs | |
调整模式 | 电压,电流,功率,脉冲电流 |
HiPSTER 25: | 参数 | 指标 |
输出功率 | 25 KW | |
工作模式 | 单极性HiPIMS、双极性HiPIMS、脉冲直流 | |
峰值电压 | 1000 V | |
峰值电流 | 1500 A | |
脉冲频率 | 50 Hz-10 KHz (最高到150 kHz) | |
脉冲宽度 | 3.5 ~ 1000 µs | |
调整模式 | 电压,电流,功率,脉冲电流、脉冲电荷 |